Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2970
- Tillv. art.nr:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Lägg till 100 till för att spara 110,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
108,75 kr
(exkl. moms)
135,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 2 970 enhet(er) från den 09 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,875 kr | 108,75 kr | - |
| 100 - 240 | 9,766 kr | 97,66 kr | 110,90 kr |
| 250 - 490 | 8,042 kr | 80,42 kr | 708,25 kr |
| 500 - 990 | 7,045 kr | 70,45 kr | 1 915,00 kr |
| 1000 + | 5,454 kr | 54,54 kr | 5 421,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2970
- Tillv. art.nr:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
