Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 735-210
- Tillv. art.nr:
- SQS136ENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 25 till för att spara 95,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
11,42 kr
(exkl. moms)
14,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 11,42 kr | - |
| 25 - 99 | 7,62 kr | 95,00 kr |
| 100 + | 4,03 kr | 739,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-210
- Tillv. art.nr:
- SQS136ENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.013Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8SLW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.013Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 141 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 110 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 101 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101