Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2963
- Tillv. art.nr:
- SQS414CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Lägg till 250 till för att spara 166,75 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
167,10 kr
(exkl. moms)
208,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 1 925 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 25 - 225 | 6,684 kr | 167,10 kr | - |
| 250 - 600 | 6,017 kr | 150,43 kr | 166,75 kr |
| 625 - 1225 | 5,681 kr | 142,03 kr | 626,88 kr |
| 1250 - 2475 | 4,346 kr | 108,65 kr | 2 922,50 kr |
| 2500 + | 3,342 kr | 83,55 kr | 8 355,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2963
- Tillv. art.nr:
- SQS414CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 780mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 780mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
