Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-artikelnummer:
- 225-9916
- Tillv. art.nr:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 225-9916
- Tillv. art.nr:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.65mm | |
| Längd | 10.52mm | |
| Höjd | 6.71mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.65mm | ||
Längd 10.52mm | ||
Höjd 6.71mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och förpackningens tillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg effektiv kapacitans (Co(er))
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Avalanche Energy Rating (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF