Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- RS-artikelnummer:
- 239-5382
- Tillv. art.nr:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 075,20 kr
(exkl. moms)
1 344,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 21,504 kr | 1 075,20 kr |
| 100 - 200 | 20,214 kr | 1 010,70 kr |
| 250 + | 18,679 kr | 933,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-5382
- Tillv. art.nr:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.195Ω | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.195Ω | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 90nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 800 V drain-källspänning, 20 A kontinuerlig drain-ström – SIHP24N80AEF-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för kraftelektronik med genomgående hål. Den är avsedd för användning i miljöer som kräver robust omkoppling vid förhöjda spänningar och strömmar, vilket ger kontrollerad ledning och snabbt omkopplingsbeteende för industri- och omvandlartillämpningar samtidigt som den arbetar över ett mycket brett temperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• 800 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 20 A stöder hantering av tung belastning
• 0.195 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 208 W effektförlust möjliggör drift med hög effekt
• 90 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsdynamik
• 30 V grindkälla maximalt skyddar grindens integritet
• Kontinuerlig dräneringsström på 20 A stöder hantering av tung belastning
• 0.195 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 208 W effektförlust möjliggör drift med hög effekt
• 90 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsdynamik
• 30 V grindkälla maximalt skyddar grindens integritet
Användningsområden
• Lämpligt för högspännings-DC-DC-omvandlarsteg
• Idealisk för primära strömförsörjningsomkopplingsfunktioner
• Används med motordrivkretsar
• Kan användas för omkoppling av industriella växelriktare
• Lämplig för högspänningstest i laboratorier
• Idealisk för primära strömförsörjningsomkopplingsfunktioner
• Används med motordrivkretsar
• Kan användas för omkoppling av industriella växelriktare
• Lämplig för högspänningstest i laboratorier
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en TO-220AB-förpackning och är avsedd för genomgående hålmontering för enkel kylfläns och chassifäste.
Vilket temperaturområde tål den i krävande miljöer?
Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, rymmer breda omgivnings- och förhöjda kopplingstemperaturer.
Hur påverkar den framåtriktade spänningen omkopplingsprestanda?
Den typiska framåtriktade spänningen på 1,2 V indikerar ledningsgränsens beteende under kroppsdiodledning och påverkar beräkningarna av förluster under omvänd återhämtning och frikoppling.
Är denna enhet lämplig för fordonsstandarddesigner?
Den är inte avsedd att uppfylla fordonsstandarder och bör inte anses uppfylla fordonsspecifika krav.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay 1 N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 21 A 600 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF