Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF
- RS-artikelnummer:
- 225-9913
- Tillv. art.nr:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rör med 25 enheter)*
454,28 kr
(exkl. moms)
567,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 525 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 18,171 kr | 454,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9913
- Tillv. art.nr:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 10.41mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 10.41mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 800 V drain-källspänning, 13 A kontinuerlig drain-ström – SIHG15N80AEF-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för krävande kraftelektronikmiljöer. Den är avsedd för användning där robust högspänningshantering och betydande kontinuerlig strömkapacitet krävs, fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde och levereras i en TO-247AC-kapsel för montering på ytor.
Funktioner och fördelar:
• Klassning för 800 V avtappning-till-källa möjliggör integrering av högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 13 A med stöd för måttlig effektgenomströmning
• 350 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 156 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 53 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsprestanda
• ±30 V grindtolerans möjliggör bred styrspänningsflexibilitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 13 A med stöd för måttlig effektgenomströmning
• 350 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 156 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 53 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsprestanda
• ±30 V grindtolerans möjliggör bred styrspänningsflexibilitet
Användningsområden
• Används för högspänningsomvandlingsstegen
• Lämplig för omkoppling av industriella motordrivningar
• Idealisk för switchade nätaggregat i energisystem
• Kan användas för klämd induktiv lastswitchning
• Används med grinddrivare för snabbkopplande topologier
• Lämplig för omkoppling av industriella motordrivningar
• Idealisk för switchade nätaggregat i energisystem
• Kan användas för klämd induktiv lastswitchning
• Används med grinddrivare för snabbkopplande topologier
Vilka extrema temperaturer tål den i drift?
Den är klassad för kontinuerlig drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla och höga temperaturer.
Hur påverkar förpackningen valet av värme och montering?
Ytförpackningen TO-247AC ger ett stort område med värmedyna som är lämpligt för kylelement och enkel lödning eller klämmontering för att hantera avledning.
Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?
Enheten tolererar gate-source-spänningar upp till 30 V, så gate-drivrutiner bör väljas för att hålla sig inom den gränsen för att undvika grindöverspänning.
Vilket framåtriktat ledningsbeteende kan förväntas under omkopplingsövergångar?
Framspänningen är specificerad på 1,2 V, vilket informerar om förväntat ledningsspänningsfall under påslagningstillståndet och hjälper till att storleka snubbar eller klämnätverk.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
