Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- RS-artikelnummer:
- 222-4936
- Tillv. art.nr:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
130,60 kr
(exkl. moms)
163,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 675 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,224 kr | 130,60 kr |
| 125 - 225 | 4,077 kr | 101,93 kr |
| 250 - 600 | 3,812 kr | 95,30 kr |
| 625 - 1225 | 3,553 kr | 88,83 kr |
| 1250 + | 3,297 kr | 82,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4936
- Tillv. art.nr:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | IPS70R | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 30.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie IPS70R | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 30.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of:
Allowing high speed switching
Integrated protection Zener diode
Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V
Finely graduated portfolio
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal 4 A 700 V Förbättring TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal 8.5 A 700 V Förbättring TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal 4 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 10 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 8.5 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 8.7 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS CE