Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

62,275 kr

(exkl. moms)

77,85 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1002,491 kr62,28 kr
125 - 2252,182 kr54,55 kr
250 - 6002,128 kr53,20 kr
625 - 12252,07 kr51,75 kr
1250 +2,02 kr50,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4931
Tillv. art.nr:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

IPS70R

Kapseltyp

TO-251

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

22.7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Relaterade länkar