Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 75 enheter)*

312,15 kr

(exkl. moms)

390,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
75 +4,162 kr312,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4708
Tillv. art.nr:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-251

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

22.7W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Relaterade länkar