Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- RS-artikelnummer:
- 222-4934
- Tillv. art.nr:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
160,72 kr
(exkl. moms)
200,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 760 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 8,036 kr | 160,72 kr |
| 100 - 180 | 7,801 kr | 156,02 kr |
| 200 - 480 | 7,605 kr | 152,10 kr |
| 500 - 980 | 7,415 kr | 148,30 kr |
| 1000 + | 7,23 kr | 144,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4934
- Tillv. art.nr:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | IPS70R | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 43.1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie IPS70R | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 43.1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon utvecklats för att tillgodose dagens och särskilt morgondagens trender inom flybacktopologier – den nya 700 V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET-serien tar upp SMPS-marknaden med låg strömförbrukning, t.ex. laddare för mobiltelefoner eller bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandavökningar jämfört med superjunction-tekniker som används idag. Genom att kombinera kundernas feedback med över 20 års erfarenhet av superjunction MOSFET, 700 V
Möjliggör höghastighetsomkoppling
Integrerat skydd Zenerdiod
Optimerad V (GS)th på 3 V med mycket smal tolerans på ±0.5 V
Utmärkt sortiment
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE