Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R

Antal (1 rör med 75 enheter)*

302,55 kr

(exkl. moms)

378,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 675 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
75 +4,034 kr302,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4935
Tillv. art.nr:
IPS70R900P7SAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-251

Serie

IPS70R

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Maximal effektförlust Pd

30.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

6.22mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon utvecklats för att tillgodose dagens och särskilt morgondagens trender inom flybacktopologier – den nya 700 V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET-serien tar upp SMPS-marknaden med låg strömförbrukning, t.ex. laddare för mobiltelefoner eller bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandavökningar jämfört med superjunction-tekniker som används idag. Genom att kombinera kundernas återkoppling med över 20 års erfarenhet av superjunction MOSFET, möjliggör 700 V CoolMOSTM P7 bäst passform för måltillämpningar när det gäller:

Möjliggör höghastighetsomkoppling

Integrerat skydd Zenerdiod

Optimerad V (GS)th på 3 V med mycket smal tolerans på ±0.5 V

Utmärkt sortiment

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.