Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4677
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S404ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
222,66 kr
(exkl. moms)
278,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 9 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 22,266 kr | 222,66 kr |
| 50 - 90 | 21,168 kr | 211,68 kr |
| 100 - 240 | 20,25 kr | 202,50 kr |
| 250 - 490 | 19,365 kr | 193,65 kr |
| 500 + | 18,021 kr | 180,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4677
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S404ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 99nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 99nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd
OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS