Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 110-7111
- Tillv. art.nr:
- IPD100N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
182,78 kr
(exkl. moms)
228,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 18,278 kr | 182,78 kr |
| 50 - 90 | 17,349 kr | 173,49 kr |
| 100 - 240 | 17,002 kr | 170,02 kr |
| 250 - 490 | 15,904 kr | 159,04 kr |
| 500 + | 14,784 kr | 147,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 110-7111
- Tillv. art.nr:
- IPD100N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOS™T2 Power MOSFETs
Infineons nya OptiMOS™ -T2 har ett sortiment av energieffektiva MOSFET-transistorer för CO2-reduktion och eldrift. Den nya produktfamiljen OptiMOS™ -T2 utökar de befintliga produktfamiljerna OptiMOS™ -T och OptiMOS™.
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
N-kanal - Förbättringsläge
AEC-behörig
MSL1 upp till 260°C peak reflow
175°C driftstemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2