Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2491
- Tillv. art.nr:
- IPAN70R900P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 27,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
201,50 kr
(exkl. moms)
252,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,03 kr | 201,50 kr | - |
| 100 - 200 | 3,752 kr | 187,60 kr | 27,80 kr |
| 250 - 450 | 3,653 kr | 182,65 kr | 94,25 kr |
| 500 - 1200 | 3,562 kr | 178,10 kr | 234,00 kr |
| 1250 + | 3,472 kr | 173,60 kr | 697,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2491
- Tillv. art.nr:
- IPAN70R900P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 17.9W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 17.9W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 700 V Cool MOSTM P7 superkopplings-MOSFET-serie tar upp SMPS-marknaden med låg strömförbrukning, t. ex. laddare för mobiltelefoner eller bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandavökningar jämfört med superkopplingstekniker som används idag. Tekniken uppfyller de högsta effektivitetsstandarderna och stöder hög effekttäthet, vilket gör det möjligt för kunder att gå mot mycket smala konstruktioner. Den senaste CoolMOSTMP7 är en optimerad plattform skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adapter, belysning, TV, etc.
Extremt låga förluster tack vare mycket låga FOMRDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss
Utmärkt termiskt beteende
Integrerad ESD-skyddsdiod
Låga omkopplingsförluster (Eoss)
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V P, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7