Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 214-9005
Tillv. art.nr:: IPA70R360P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

Antal (1 rör med 50 enheter)*

319,10 kr

(exkl. moms)

398,90 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 600 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	6,382 kr	319,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-9005
Tillv. art.nr:: IPA70R360P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	12.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	700V
	Serie	CoolMOS P7
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	360mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal effektförlust Pd	26.5W
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 700V
	Serie CoolMOS P7
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal effektförlust Pd 26.5W
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPA70R360P7SXKSA1

Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 12,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPA70R360P7SXKSA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanalförstärkning som är utformad för strömomkoppling i industri- och strömomvandlingsmiljöer. Den fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde och levereras i en TO-220-kapsel med genomgående hål för enkel kortmontering och kylelement i diskreta strömförsörjningsenheter.

Funktioner och fördelar:

• 700 V avtappningskapacitet möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 12.5 A kontinuerlig ström stöder betydande belastningsströmmar
• 360 mΩ Rds minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 26.5 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 0,9 V framspänning minskar spänningsfall i ledningen
• 30 V grytolerans möjliggör vanliga grinddrivarspänningar

Användningsområden

• Lämplig för SMPS-primärväxling i högspänningsförsörjningar
• Idealisk för industriella strömomvandlare som kräver 700 V-enheter
• Används för diskreta omkopplarsteg i högspänningsenheter
• Kan användas för genomgående hålprototyper och reparationer
• Lämpligt för system som drivs över breda temperaturområden

Vad är den tillåtna storleken på gate-enheten?

Enheten accepterar upp till 30 V mellan grind och källa som dess maximala grindgräns.

Hur hjälper förpackningen värmehantering?

TO-220-formatet med genomgående hål möjliggör direkt fästning på kylelement och enkel montering för förbättrad värmeavledning.

Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?

Den är klassad för drift från -40 °C upp till +150 °C omgivningsförhållanden.

Vilka ledningsegenskaper påverkar effektförlusten under påslagningstillståndet?

Motståndet på 360 mΩ påverkar ledningsförlusterna direkt vid strömförande.

Vilken parameter indikerar kontinuerlig belastningskapacitet?

Den kontinuerliga dräneringsströmstyrkan på 12,5 A definierar dess stabila strömhantering.