Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4643
- Tillv. art.nr:
- IPA70R900P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
198,70 kr
(exkl. moms)
248,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,974 kr | 198,70 kr |
| 100 - 200 | 3,376 kr | 168,80 kr |
| 250 - 450 | 3,208 kr | 160,40 kr |
| 500 - 1200 | 3,167 kr | 158,35 kr |
| 1250 + | 3,129 kr | 156,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4643
- Tillv. art.nr:
- IPA70R900P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Den senaste Cool MOSTM P7 är en optimerad plattform som är skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adapter, belysning, TV, etc.
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM RDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss
Produktvalidering enligt JEDEC-standard
Låga omkopplingsförluster (Eoss)
Integrerad ESD-skyddsdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7