Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7362
- Tillv. art.nr:
- BSZ100N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
214,94 kr
(exkl. moms)
268,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 10,747 kr | 214,94 kr |
| 100 - 180 | 10,203 kr | 204,06 kr |
| 200 - 480 | 9,783 kr | 195,66 kr |
| 500 - 980 | 9,352 kr | 187,04 kr |
| 1000 + | 8,703 kr | 174,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7362
- Tillv. art.nr:
- BSZ100N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 60 V är optimerad för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer och surfplattladdare. Dessutom är dessa enheter ett perfekt val för ett brett utbud av industriella tillämpningar, inklusive motorstyrning, solcellsmikroväxelriktare och snabbväxlande DC-DC-omvandlare.
Optimerad för synkron likriktare
40 % lägre R DS(on) än alternativa enheter
40 % förbättring av FOM jämfört med liknande enheter
RoHS-kompatibel - halogenfri
MSL1-klassad
Högsta systemeffektivitet
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Systemkostnadsreducering
Mycket låg spänningsöverskridning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5