Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7362
- Tillv. art.nr:
- BSZ100N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 54,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
214,94 kr
(exkl. moms)
268,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 10,747 kr | 214,94 kr | - |
| 100 - 180 | 10,203 kr | 204,06 kr | 54,40 kr |
| 200 - 480 | 9,783 kr | 195,66 kr | 192,80 kr |
| 500 - 980 | 9,352 kr | 187,04 kr | 697,50 kr |
| 1000 + | 8,703 kr | 174,06 kr | 2 044,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7362
- Tillv. art.nr:
- BSZ100N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Längd | 5.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Längd 5.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET och diod, 60 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ100N06NSATMA1
Denna MOSFET- och diodkomponent är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet avsedd för strömomkopplingstillämpningar som kräver låga ledningsförluster och integrerad diodprestanda. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för konstruktioner som kräver betydande kontinuerlig strömhantering samtidigt som den är monterad i ett kompakt TSDSON-paket.
Funktioner och fördelar:
• 60 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsomkopplingstillämpningar
• Maximal RDS(on) på 1 mΩ minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A med stöd för höga strömnivåer
• 12 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerat omkopplingsbeteende
• Maximal effektförlust på 36 W upprätthåller termisk belastning kortvarigt
• 20 V gate-source-gränsen ger huvudutrymme för drivkretsar
• Maximal RDS(on) på 1 mΩ minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A med stöd för höga strömnivåer
• 12 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerat omkopplingsbeteende
• Maximal effektförlust på 36 W upprätthåller termisk belastning kortvarigt
• 20 V gate-source-gränsen ger huvudutrymme för drivkretsar
Användningsområden
• Lämplig för synkronlikriktelse i strömomvandlare
• Idealisk för omkoppling av utgångssteg för DC/DC-omvandlare
• Används med motordrivna halvbryggor som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och lastväxling
• Används för belastningspunktreglering i kompakta system
• Idealisk för omkoppling av utgångssteg för DC/DC-omvandlare
• Används med motordrivna halvbryggor som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och lastväxling
• Används för belastningspunktreglering i kompakta system
Vilket temperaturområde kan den tolerera i drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C.
Vilken monteringsmetod krävs för montering?
Den är avsedd för ytmontering i en TSDSON-kapsel.
Hur många anslutningsstift finns tillgängliga för kretskortslayout?
Enheten använder åtta stift för elektriska och mekaniska anslutningar.
Vilket kanalledningsläge använder den?
Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3