Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 165-5979
Tillv. art.nr:: BSZ060NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

10 280,00 kr

(exkl. moms)

12 850,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

20 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,056 kr	10 280,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5979
Tillv. art.nr:: BSZ060NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	TSDSON
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	8.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	26W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9.1nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.87V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.4mm
	Längd	3.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp TSDSON
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 8.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 26W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.1nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.87V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.4mm
	Längd 3.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 25 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ060NE2LSATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling och hantering i kompakta elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för högströmstillämpningar där låga ledningsförluster och effektiv omkoppling krävs. Enheten levereras i ett 8-stifts TSDSON-paket som är lämpligt för täta monteringar och termisk ledning på kretskortslayouter.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 8.1 mΩ minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig avtappningsström på 40 A stöder höga strömbelastningar
• Maximal effektförlust på 26 W möjliggör betydande värmehantering
• Typisk grindladdning på 9.1 nC möjliggör effektiv omkopplingsprestanda
• Framspänning på 0,87 V minimerar spänningsfall under belastning
• Gate-source-spänningstolerans upp till 20 V ger flexibla drivmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlareffektsteg
• Idealisk för högströms DC-DC-regulatormoduler
• Används med server- och telekomkraftdistributionssystem
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämpligt för motordrivningsstegen före drivning

Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig för implementering?

Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.

Hur bidrar paketet till kretskortsintegrering?

TSDSON-formfaktorn ger ett ytmonterat fotavtryck med låg profil som underlättar placering av komponenter nära och direkt värmeledning till kretskortskoppar.

Vilka överväganden gäller för grinddrivning?

Transistorn stöder gate-källspänningar på upp till 20 V

använda grinddrivare som förblir inom denna gräns samtidigt som de ger tillräcklig laddning för snabb omkoppling.

Hur många stift finns tillgängliga för layoutändamål?

Det finns åtta stift som möjliggör flera anslutningar för drain-, source- och gate-routing för att optimera strömvägar och termiska prestanda.