Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 165-5979
- Tillv. art.nr:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
10 280,00 kr
(exkl. moms)
12 850,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 000 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,056 kr | 10 280,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5979
- Tillv. art.nr:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.87V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.87V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET-familj
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
N-kanal - Förbättringsläge
Kvalificerad för Automotive AEC Q101
MSL1 upp till 260°C peak reflow
175°C driftstemperatur
Grönt paket (blyfritt)
Ultra låg Rds(on)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.9 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS