Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 220-7361
Tillv. art.nr:: BSZ100N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

21 920,00 kr

(exkl. moms)

27 400,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 13 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	4,384 kr	21 920,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 220-7361
Tillv. art.nr:: BSZ100N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TSDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5.35mm
	Höjd	1.2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TSDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5.35mm
	Höjd 1.2mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ100N06NSATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET och diod, 60 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ100N06NSATMA1

Denna MOSFET- och diodkomponent är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet avsedd för strömomkopplingstillämpningar som kräver låga ledningsförluster och integrerad diodprestanda. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för konstruktioner som kräver betydande kontinuerlig strömhantering samtidigt som den är monterad i ett kompakt TSDSON-paket.

Funktioner och fördelar:

• 60 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsomkopplingstillämpningar
• Maximal RDS(on) på 1 mΩ minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A med stöd för höga strömnivåer
• 12 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerat omkopplingsbeteende
• Maximal effektförlust på 36 W upprätthåller termisk belastning kortvarigt
• 20 V gate-source-gränsen ger huvudutrymme för drivkretsar

Användningsområden

• Lämplig för synkronlikriktelse i strömomvandlare
• Idealisk för omkoppling av utgångssteg för DC/DC-omvandlare
• Används med motordrivna halvbryggor som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och lastväxling
• Används för belastningspunktreglering i kompakta system

Vilket temperaturområde kan den tolerera i drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?

Den är avsedd för ytmontering i en TSDSON-kapsel.

Hur många anslutningsstift finns tillgängliga för kretskortslayout?

Enheten använder åtta stift för elektriska och mekaniska anslutningar.

Vilket kanalledningsläge använder den?

Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge.