Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 754-5364
- Tillv. art.nr:
- BSZ067N06LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
99,46 kr
(exkl. moms)
124,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 900 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 19,892 kr | 99,46 kr |
| 25 - 45 | 18,928 kr | 94,64 kr |
| 50 - 120 | 17,024 kr | 85,12 kr |
| 125 - 245 | 15,276 kr | 76,38 kr |
| 250 + | 14,56 kr | 72,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 754-5364
- Tillv. art.nr:
- BSZ067N06LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.83V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.83V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Snabbswitchande MOSFET för SMPS
Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare
Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
N-kanal, logisk nivå
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans R DS(on)
Pb-fri plätering
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3