Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.5 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BUK98150 AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

100,00 kr

(exkl. moms)

125,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +4,00 kr100,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-4328
Tillv. art.nr:
BUK98150-55A/CUF
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

BUK98150

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

161mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.3nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15V

Maximal effektförlust Pd

8W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

300μm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.7mm

Bredd

3.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Nexperia BUK98150-55A/CUF logiknivå N-kanalförstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i en plastkapsling med TrenchMOS-teknik

Låga ledningsförluster tack vare låg påslagningsresistans

Q101-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.