Infineon N Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6764
Distrelec artikelnummer:
304-41-676
Tillv. art.nr:
IRFL024NTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.075Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt lågt on-motstånd per kiselarea. Den ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Ultralåg on-resistans

Dynamisk dv/dt-klassning

Snabb omkoppling

Fullständigt lavinklassad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.