Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6766
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
182,68 kr
(exkl. moms)
228,35 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 175 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 7,307 kr | 182,68 kr |
| 125 - 225 | 6,944 kr | 173,60 kr |
| 250 - 600 | 6,648 kr | 166,20 kr |
| 625 - 1225 | 4,382 kr | 109,55 kr |
| 1250 + | 3,476 kr | 86,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6766
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.075Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna design har ytterligare funktioner som 175 °C kopplingsdriftstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.
Ultralåg påslagningsresistans
Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.4 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 5 A 55 V, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 55 V, SOT-223, HEXFET Fifth Generation
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon 2 N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET