Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 151-3122
- Tillv. art.nr:
- PMV25ENEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 151-3122
- Tillv. art.nr:
- PMV25ENEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 39mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.94W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 39mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6.94W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Fordons-MOSFET, världens största portfölj av AEC-Q101-kvalificerade effekt-MOSFET, en djup förståelse för fordonssystemkrav och fokuserad teknisk kapacitet gör det möjligt för Nexperia att tillhandahålla krafthalvledarlösningar över ett brett spektrum av tillämpningar. Från att driva en enkel lampa till de sofistikerade behoven av strömstyrning i motor-, kaross- eller chassitillämpningar, kan Nexperia Power Semiconductors ge svaret på många strömproblem i fordonssystem.
Överensstämmer med AEC-Q101
Repeterande lavinrörelse
Lämplig för termiskt krävande miljöer tack vare 175 °C-klassning
30 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Låg tröskelspänning
Mycket snabb omkoppling
Trench MOSFET-teknik
>
AEC-Q101-godkänd
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101