STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

11 676,00 kr

(exkl. moms)

14 596,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,919 kr11 676,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-9958
Tillv. art.nr:
STN6N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Serie

STN6N60M2

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.25Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.48mm

Höjd

1.8mm

Längd

6.8mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics-enhet är en N-kanalig effekt-MOSFET som utvecklats med MDmesh M2-teknik. Tack vare sin remslayout och en förbättrad vertikal struktur har enheten lågt motstånd under drift och optimerade omkopplingsegenskaper, vilket gör den lämplig för de mest krävande högeffektiva omvandlarna.

Extremt låg grindladdning

Utmärkt utgångskapacitansprofil (Coss)

100 % avalanche-testade

Zener-skyddad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.