Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-3008
- Tillv. art.nr:
- IPA65R400CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
140,34 kr
(exkl. moms)
175,425 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 330 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 9,356 kr | 140,34 kr |
| 75 - 135 | 8,885 kr | 133,28 kr |
| 150 - 360 | 8,519 kr | 127,79 kr |
| 375 - 735 | 8,146 kr | 122,19 kr |
| 750 + | 7,586 kr | 113,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3008
- Tillv. art.nr:
- IPA65R400CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 650V CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 650V CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superkorsning ger den låga lednings- och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen.
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM Rdson*Qg och Eoss
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
EDEC-certifierad, blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE