Infineon N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-3007
- Tillv. art.nr:
- IPA65R400CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
492,45 kr
(exkl. moms)
615,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,849 kr | 492,45 kr |
| 100 - 200 | 7,978 kr | 398,90 kr |
| 250 - 450 | 7,485 kr | 374,25 kr |
| 500 - 950 | 6,894 kr | 344,70 kr |
| 1000 + | 6,402 kr | 320,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3007
- Tillv. art.nr:
- IPA65R400CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | 650V CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie 650V CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superkorsning ger den låga lednings- och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen.
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM Rdson*Qg och Eoss
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
EDEC-certifierad, blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE