Infineon N Kanal, MOSFET, 6.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-3001
- Tillv. art.nr:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
141,34 kr
(exkl. moms)
176,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 160 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,067 kr | 141,34 kr |
| 100 - 180 | 6,715 kr | 134,30 kr |
| 200 - 480 | 6,429 kr | 128,58 kr |
| 500 - 980 | 6,155 kr | 123,10 kr |
| 1000 + | 5,723 kr | 114,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3001
- Tillv. art.nr:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 61W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 29.75mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 61W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 29.75mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Den används i PFC-steg, hårt omkopplande PWM-steg och resonanta omkopplingssteg, t. ex. för PC Silverbox, adapter, LCD- och PDP-TV och inomhusbelysning.
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.7 A 600 V, 3 Ben, IPAK, 600V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.4 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P6