Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-2991
- Tillv. art.nr:
- IPA50R800CEXKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
252,65 kr
(exkl. moms)
315,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,053 kr | 252,65 kr |
| 100 - 200 | 3,942 kr | 197,10 kr |
| 250 - 450 | 3,689 kr | 184,45 kr |
| 500 - 1200 | 3,436 kr | 171,80 kr |
| 1250 + | 3,184 kr | 159,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2991
- Tillv. art.nr:
- IPA50R800CEXKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 550V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Längd | 16.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 29.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 550V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.9mm | ||
Längd 16.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 29.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. Denna MOSFET används i PFC-steg, hårt omkopplande PWM-steg och resonanta omkopplingssteg, t. ex. för PC Silverbox, adapter, LCD- och PDP-TV och inomhusbelysning.
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.8 A 550 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, CoolMOS CE