Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 218-2990
Tillv. art.nr:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

76,97 kr

(exkl. moms)

96,21 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

1 412 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 +	38,485 kr	76,97 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-2990
Tillv. art.nr:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	260A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	HSOF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	300W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp HSOF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 300W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 100 V drain-källspänning, 260 A kontinuerlig drain-ström – IAUT260N10S5N019ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde som lämpar sig för tuffa förhållanden och är konstruerad för tillämpningar som kräver betydande hantering av dräneringsström, tätt påslagningsmotstånd och robust gate-spänningstolerans.

Funktioner och fördelar:

• 1.9 mΩ Rds(on) ger minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 260 A möjliggör hantering av hög ström
• 100 V drain-source-klassning stöder medelspänningssystem
• ±20 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 300 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastning
• 1.3 V framspänning minimerar diodledningsförluster

Användningsområden

• Lämplig för fordonsdrivkretsar och motordrivkretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
• Används med batterihantering och energilagringssystem
• Kan användas för strömfördelning i elektrifierade fordon
• Lämplig för ytmonterade enheter som kräver kompakta effekt-MOSFET-transistorer

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är specifik för kontinuerlig användning från -55 °C till +175 °C.

Vilken förpacknings- och monteringsstil finns för kompakta monteringar?

Den levereras i en HSOF-kapsel avsedd för ytmontering med åtta stift.

Hur stöder enheten fordonskvalificeringsbehov?

Den uppfyller fordonskrav enligt AEC-Q101 för komponenter som används i fordonsmiljöer.

Vilken kanaltyp och vilket läge bestämmer omkopplingsbeteendet?

Den använder en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge för kontrollerad ledning.

Vilka elektriska gränsvärden bör iakttas för grind- och avtappningsspänningar?

Gate-source-spänningen måste ligga inom ±20 V och drain-source-spänningen inom 100 V.