Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-2988
- Tillv. art.nr:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
173,38 kr
(exkl. moms)
216,73 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 805 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 34,676 kr | 173,38 kr |
| 50 - 120 | 28,404 kr | 142,02 kr |
| 125 - 245 | 26,634 kr | 133,17 kr |
| 250 - 495 | 24,976 kr | 124,88 kr |
| 500 + | 23,252 kr | 116,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2988
- Tillv. art.nr:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5 | |
| Serie | IAUA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5 | ||
Serie IAUA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM-5-serien N-kanals effekt-MOSFET. Den används för fordonstillämpningar.
N-kanal - Förbättringsläge - Normal nivå
MSL3 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IAUA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 314 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101