Infineon Isolerad Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1.2 kV, 2 Ben, AG-EASY1B, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 217-7180
- Tillv. art.nr:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 217-7180
- Tillv. art.nr:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Antal ben | 2 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.65V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 62.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Antal ben 2 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.65V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 62.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ halvbryggmodul med CoolSiC MOSFET, integrerad NTC-temperatursensor och PressFIT-kontaktteknik
Hög strömtäthet
Klassens bästa omkopplings- och ledningsförluster
Låg induktiv konstruktion
RoHS-kompatibla moduler
Relaterade länkar
- Infineon Isolerad Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1.2 kV, 2 Ben, AG-EASY1B, CoolSiC
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon, IGBT-modul, 600 A 1.2 kV, 11 Ben, AG-ECONOD Yta 2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1