Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

18 949,00 kr

(exkl. moms)

23 686,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +18,949 kr18 949,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2503
Tillv. art.nr:
IPB60R080P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal effektförlust Pd

129W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.45mm

Höjd

4.57mm

Längd

10.31mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Bäst i klassen R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.

600 V P7 möjliggör utmärkt FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)

Integrerat grindmotstånd R G

Robust husdiod

Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar

Både standard- och industridelar finns tillgängliga

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.