Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 215-2498
- Tillv. art.nr:
- IPB60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
94,08 kr
(exkl. moms)
117,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 785 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 18,816 kr | 94,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2498
- Tillv. art.nr:
- IPB60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS C7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.88mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.31mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS C7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.88mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.31mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
>
Minskade omkopplingsförlustparametrar som Q G, C oss, E oss
Klassens bästa meritfaktor Q G*R DS(on)
Ökad omkopplingsfrekvens
Världens bästa R (on)*A
Robust husdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7