Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 217-2559
- Tillv. art.nr:
- IPP60R080P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
284,48 kr
(exkl. moms)
355,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 120 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 56,896 kr | 284,48 kr |
| 10 - 20 | 51,162 kr | 255,81 kr |
| 25 - 45 | 47,734 kr | 238,67 kr |
| 50 - 120 | 44,374 kr | 221,87 kr |
| 125 + | 40,97 kr | 204,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2559
- Tillv. art.nr:
- IPP60R080P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 129W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 29.95mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 129W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 29.95mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 37 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPP60R080P7XKSA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal och är utformad för krafttillämpningar som kräver montering med genomgående hål och förbättrad kanaldrift. Den är avsedd för kretsar som behöver betydande kontinuerlig dräneringsström och förhöjd spänningshantering över ett brett driftstemperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningskapacitet möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 37 A stöder hantering av hög effektbelastning
• 80 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för förbättrad effektivitet
• Maximal effektförlust på 129 W möjliggör hållbar strömhantering
• 51 nC typisk grindladdning stöder förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grindklassning tolererar robusta grinddrivarspänningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 37 A stöder hantering av hög effektbelastning
• 80 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för förbättrad effektivitet
• Maximal effektförlust på 129 W möjliggör hållbar strömhantering
• 51 nC typisk grindladdning stöder förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grindklassning tolererar robusta grinddrivarspänningar
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med genomgående kretskort i industriella styrsystem
• Kan användas för switchade strömomvandlingsdesigner
• Lämpligt för användare som behöver ett brett temperaturområde
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med genomgående kretskort i industriella styrsystem
• Kan användas för switchade strömomvandlingsdesigner
• Lämpligt för användare som behöver ett brett temperaturområde
I vilka termiska extremer kan denna enhet fungera?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Enheten levereras i en TO-220-förpackning för montering i genomgående hål.
Vad är enhetens kanaltyp och driftläge?
Den använder en N-typ-kanal i förstärkningsläge för konventionell high-side- eller low-side-omkoppling.
Vad är enhetens framspänning och hur påverkar den kretsar?
Den framåtriktade spänningen är 0,9 V, vilket påverkar ledningsfall under framåtriktade ledningar i kretsdesigner.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7