Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4372
- Tillv. art.nr:
- IPB60R360P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
138,21 kr
(exkl. moms)
172,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 170 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,821 kr | 138,21 kr |
| 50 - 90 | 13,126 kr | 131,26 kr |
| 100 - 240 | 12,846 kr | 128,46 kr |
| 250 - 490 | 12,029 kr | 120,29 kr |
| 500 + | 11,178 kr | 111,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4372
- Tillv. art.nr:
- IPB60R360P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 41W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.02mm | |
| Bredd | 9.27mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 41W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.02mm | ||
Bredd 9.27mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V avtappningskällspänning, 9 A kontinuerlig avtappningsström – IPB60R360P7ATMA1
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanal-enhet som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsroller i industriella kraftsystem. Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering och är avsedd för tillämpningar som kräver robust grindstyrning och hantering av betydande avtappningsström inom förhöjda temperaturområden.
Funktioner och fördelar:
• 600 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder betydande belastningsströmmar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• Maximal effektförlust på 41 W hanterar termisk påfrestning under drift
• 13 nC typisk grindladdning möjliggör effektiva grindstyrningsövergångar
• 20 V maximal gate-source-tolerans möjliggör vanliga gate-drivspänningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder betydande belastningsströmmar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• Maximal effektförlust på 41 W hanterar termisk påfrestning under drift
• 13 nC typisk grindladdning möjliggör effektiva grindstyrningsövergångar
• 20 V maximal gate-source-tolerans möjliggör vanliga gate-drivspänningar
Användningsområden
• Används för omkopplingssteg för högspänningsströmförsörjning
• Passar för industriella AC/DC-omvandlingsmoduler
• Idealisk för sekundär-sidans synkrona likriktningsimplementeringar
• Kan användas för högspänningsmotorhjälpkretsar
• Används med ytmonterade enheter som kräver strömförsörjningsenheter med tre terminaler
• Passar för industriella AC/DC-omvandlingsmoduler
• Idealisk för sekundär-sidans synkrona likriktningsimplementeringar
• Kan användas för högspänningsmotorhjälpkretsar
• Används med ytmonterade enheter som kräver strömförsörjningsenheter med tre terminaler
Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?
Den fungerar i ett intervall från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.
Vilket paket och monteringsmetod använder den för kortintegrering?
Den levereras i en TO-263-kapsel utformad för ytmontering för att underlätta termisk kontakt och automatiserad montering.
Hur hanterar enheten kraven på grinddrivning för snabb omkoppling?
Med en typisk grindladdning på 13 nC och en grindkällgräns på 20 V stöder den snabb omkoppling samtidigt som vanliga grinddrivarspänningar används.
Vilken polaritet och vilket kontrollläge använder transistorn?
Det är en förstärkningsenhet av N-typ som är lämplig för switchingtopologier på låg- och hög-sidan.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7