Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 51 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9684
- Tillv. art.nr:
- TSM110NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
13 020,00 kr
(exkl. moms)
16 275,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,208 kr | 13 020,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9684
- Tillv. art.nr:
- TSM110NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.2mm | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS/WEEE | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.2mm | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS/WEEE | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025