Infineon N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 215-2455
- Tillv. art.nr:
- BSC032N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
18 150,00 kr
(exkl. moms)
22 700,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 3,63 kr | 18 150,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2455
- Tillv. art.nr:
- BSC032N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 98A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 98A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 98 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC032N04LSATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och omvandling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och passar tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och betydande kontinuerlig strömhantering i ett kompakt SuperSO-paket.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans på 4.4 mΩ för minskade ledningsförluster
• 98 A kontinuerlig avtappningskapacitet för kraftiga strömbelastningar
• 40 V drain-to-source-klassning för mellanspänningseffektsteg
• Maximal effektförlust på 52 W för termiskt huvudutrymme
• Typisk grindladdning 25 nC möjliggör effektiv grindstyrning
• Fungerar från -55 °C till 175 °C för utökad temperaturtolerans
• 98 A kontinuerlig avtappningskapacitet för kraftiga strömbelastningar
• 40 V drain-to-source-klassning för mellanspänningseffektsteg
• Maximal effektförlust på 52 W för termiskt huvudutrymme
• Typisk grindladdning 25 nC möjliggör effektiv grindstyrning
• Fungerar från -55 °C till 175 °C för utökad temperaturtolerans
Användningsområden
• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering inom strömhantering
• Används för motordrivningssteg som kräver ytmonterade delar
• Kan användas för telekom- och serverströmdistribution
• Lämplig för batteridrivna system som behöver låg Vf-omkoppling
• Idealisk för synkron likriktering inom strömhantering
• Används för motordrivningssteg som kräver ytmonterade delar
• Kan användas för telekom- och serverströmdistribution
• Lämplig för batteridrivna system som behöver låg Vf-omkoppling
Vilka grinddrivaröverväganden krävs för effektiv omkoppling?
Drive-kretsen bör leverera tillräcklig toppström för att ladda 25 nC-grinden snabbt samtidigt som den styr omkopplingsvägen för att balansera omkopplingsförluster och EMI.
Hur bör värmehantering hanteras på kretskortet?
Använd flera lager av kopparplan och termiska ledare under SuperSO-fotavtrycket för att sprida 52 W avledning och lägre termisk motstånd mellan koppling och kretskortet.
Vilka elektriska påfrestningar måste enheten motstå under tillfälliga händelser?
Enheten är klassad för 40 V Vds stabilt tillstånd
transientskydd som t.ex. snubbar eller transientdämpning av spänning bör användas för att begränsa spänningsöverskridning över denna nivå.
Finns det specifika layoutmetoder för att minimera ledningsförluster?
Brett, korta kopparspår för dränerings- och källanslutningar och minimerar slinginduktans mellan enheten och dess grinddrivare för att bevara den låga fördelen på 4,4 mΩ.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 81 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101
