Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2512
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
8 030,00 kr
(exkl. moms)
10 037,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 3,212 kr | 8 030,00 kr |
| 5000 + | 3,051 kr | 7 627,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2512
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 24W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 24W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V Cool MOSTM P7 Super Junction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flybackapplikationer inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också konstruktioner med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK RDS(on)-produkter.
Integrerat zenerdiod-ESD-skydd upp till klass 2 (HBM)
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Helt optimerad portfölj
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7