Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 215-2517
Tillv. art.nr:: IPD80R900P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

11 637,50 kr

(exkl. moms)

14 547,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,655 kr	11 637,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2517
Tillv. art.nr:: IPD80R900P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Serie	800V CoolMOS P7
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	900mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	15nC
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal effektförlust Pd	45W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Serie 800V CoolMOS P7
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal effektförlust Pd 45W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPD80R900P7ATMA1

Infineon 800 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 800 V drain source-spänning, 6 A kontinuerlig drain-ström – IPD80R900P7ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för strömomvandling och energieffektiv omkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en ytmonterad kapsel som är lämplig för kompakta kortlayouter, vilket gör den lämplig för industriella och kraftelektroniktillämpningar där robust spänningshantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 800 V avtappningsklassning möjliggör omkoppling av högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 6 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Låg påslagningsresistans på 900 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 15 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grinddrivarrespons
• Maximal effektförlust på 45 W klarar av betydande värmebelastning
• Gate-source-tolerans upp till 20 V passar vanliga gate-drivspänningar

Användningsområden

• Idealisk för strömförsörjning i högspänningsomvandlare
• Används för växling av nätaggregatsteg i switchläge
• Lämplig för industriella växelriktarfrontändar
• Kan användas för högspänningsmotordrivkretsar
• Används med kompakta ytmonteringsenheter på kretskort

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är specificerad för att fungera mellan -55 °C och 150 °C, och täcker lågtemperatur- och förhöjda kopplingstillämpningar.

Hur är den monterad på ett kretskort och vilket paket använder den?

Den levereras i en TO-252-förpackning avsedd för ytmontering för att spara kortyta.

Vilket ledningsbeteende bör jag förvänta mig under belastning?

Enheten uppvisar en påslagningsresistans på upp till 900 mΩ, vilket påverkar ledningsförluster och termisk design för kontinuerliga strömmar upp till 6 A.

Vilka krav på grinddrivning krävs för säker drift?

Den nominella gate-source-spänningen är ±20 V, och den typiska totala gate-laddningen är 15 nC, vilket informerar din drivkapacitet och växlande energibudget.