Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

15 698,00 kr

(exkl. moms)

19 622,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +15,698 kr15 698,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9013
Tillv. art.nr:
IPB120N08S404ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. These OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. The Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Relaterade länkar

Recently viewed