Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9014
- Tillv. art.nr:
- IPB120N08S404ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
232,51 kr
(exkl. moms)
290,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 875 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 46,502 kr | 232,51 kr |
| 25 - 45 | 41,844 kr | 209,22 kr |
| 50 - 120 | 39,066 kr | 195,33 kr |
| 125 - 245 | 36,266 kr | 181,33 kr |
| 250 + | 33,488 kr | 167,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9014
- Tillv. art.nr:
- IPB120N08S404ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment av OptiMOS -T2-produktfamiljer utökar de befintliga familjerna OptiMOS -T och OptiMOS. Dessa OptiMOS-produkter finns i högpresterande förpackningar för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Infineon-produkterna är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. Dessa är robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101