Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2
- RS-artikelnummer:
- 214-9019
- Tillv. art.nr:
- IPB45N06S4L08ATMA3
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 214-9019
- Tillv. art.nr:
- IPB45N06S4L08ATMA3
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons sortiment av OptiMOS -T2-produktfamiljer utökar de befintliga familjerna OptiMOS -T och OptiMOS. Dessa OptiMOS-produkter finns i högpresterande förpackningar för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Infineon-produkterna är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. Dessa är robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2