Infineon N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-8971
- Tillv. art.nr:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*
29 310,00 kr
(exkl. moms)
36 640,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 000 enhet(er) levereras från den 16 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 5,862 kr | 29 310,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8971
- Tillv. art.nr:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 147A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.65V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.35mm | |
| Längd | 5.49mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 147A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.65V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.35mm | ||
Längd 5.49mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 50 W maximal effektförlust, 25 V maximal drain-källspänning – BSC015NE2LS5IATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad effektomkoppling och lastkontroll i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är specifik för betydande kontinuerlig dräneringsström och effekthantering, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och snabb grinddriven omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• 1.5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 147 A stöder höga belastningsströmmar
• 50 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 22 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 0,65 V framspänning minimerar spänningsfall under belastning
• 25 V drain‐source-klassning passar strömskenor med låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 147 A stöder höga belastningsströmmar
• 50 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 22 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 0,65 V framspänning minimerar spänningsfall under belastning
• 25 V drain‐source-klassning passar strömskenor med låg spänning
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motordriftsteg i kraftelektronik
• Kan användas för batteriskydd och batteridistribution
• Lämplig för strömomkoppling i kompakta SMD-enheter
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motordriftsteg i kraftelektronik
• Kan användas för batteriskydd och batteridistribution
• Lämplig för strömomkoppling i kompakta SMD-enheter
Vilken kapsling och monteringsstil använder den?
Den levereras i en 8-stifts TDSON-kapsel avsedd för ytmontering.
Vilka spänningsgränser bör iakttas vid kretsdesign?
Den maximala drain-source-spänningen är 25 V och den maximala gate-source-spänningen är 16 V.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C för ett utökat termiskt intervall.
Vilken kanaltyp och vilket läge implementeras?
Enheten är en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge.
Vilka fysiska begränsningar är relevanta för kretskortslayout?
Förpackningen mäter cirka 5,49 mm x 6,35 mm med en höjd på 1,1 mm.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS