Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4422
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
187,50 kr
(exkl. moms)
234,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,375 kr | 187,50 kr |
| 100 - 180 | 7,219 kr | 144,38 kr |
| 200 - 480 | 6,748 kr | 134,96 kr |
| 500 - 980 | 6,283 kr | 125,66 kr |
| 1000 + | 5,813 kr | 116,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4422
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 59.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 59.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.
It supports less magnetic size with lower BOM costs
It has high ESD ruggedness
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6.5 A 700 V Förbättring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 8.5 A 700 V Förbättring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-220, 700V CoolMOS P7
