Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4422
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
144,62 kr
(exkl. moms)
180,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,231 kr | 144,62 kr |
| 100 - 180 | 5,568 kr | 111,36 kr |
| 200 - 480 | 5,207 kr | 104,14 kr |
| 500 - 980 | 4,845 kr | 96,90 kr |
| 1000 + | 4,483 kr | 89,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4422
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 59.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 59.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
700 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-serien hanterar SMPS-marknaden med låg strömförbrukning, t.ex. laddare för mobiltelefoner eller adaptrar för bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandaförbättringar.
Den stöder mindre magnetisk storlek med lägre BOM-kostnader
Den har hög ESD-tålighet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7