Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

7 157,50 kr

(exkl. moms)

8 947,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25002,863 kr7 157,50 kr
5000 +2,811 kr7 027,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4393
Distrelec artikelnummer:
304-39-408
Tillv. art.nr:
IPD70R900P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

30.5W

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.65mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 6 A maximal kontinuerlig drain-ström - IPD70R900P7SAUMA1


Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal och är utformad för effektomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade kraftkonstruktioner där hög blockeringsspänning och måttlig strömkapacitet krävs. Enheten stöder drift i förstärkningsläge och är lämplig för system som kräver kompakta kraftkomponenter med kontrollerade gate-drivningsegenskaper.

Funktioner och fördelar:


• 700 V blockeringsspänning möjliggör högspänningsomkoppling
• 6 A kontinuerlig dräneringsström för måttlig belastningshantering
• 900 mΩ Rds(on) begränsar ledningsförluster under belastning
• 6.8 nC typisk grindladdning för snabbare grindövergångar
• Maximal effektförlust på 30.5 W för termiskt huvudutrymme
• Maximalt 16 V gate-source-klassning möjliggör robust gate-drivning

Användningsområden


• Lämplig för SMPS primära omkopplingsuppgifter i högspänningsförsörjningar
• Idealisk för offline-strömförsörjningar som kräver 700 V-blockering
• Används med strömomvandlare som behöver måttlig konstant ström
• Kan användas för switchade topologier i industriell utrustning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilken kapslingstyp finns för kortmontering?


Den levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering som möjliggör lödda kretskortsfästen och effektiv termisk kontakt.

Hur påverkar temperaturområdet användningen i tuffa miljöer?


Enheten är specifik för drift från -40 °C upp till 150 °C, vilket stöder tillämpningar med förhöjda kopplingstemperaturer och stora omgivningsvariationer.

Vilka begränsningar för grinddrivning bör iakttas i konstruktioner?


Grinden får inte överstiga ±16 V i förhållande till källan, så grinddrivkretsar bör innehålla klämning eller nivåförskjutning för att förhindra överspänning.

Hur påverkar enhetens kanal och läge kretstopologin?


Som en N-kanalförstärkningsenhet kräver den en positiv gate-källspänning för att leda och är lämplig för låg- eller hög-sidig omkoppling med lämpliga drivararrangemang.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.