Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4420
- Tillv. art.nr:
- IPP80R280P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
193,09 kr
(exkl. moms)
241,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 38,618 kr | 193,09 kr |
| 25 - 45 | 34,788 kr | 173,94 kr |
| 50 - 120 | 32,48 kr | 162,40 kr |
| 125 - 245 | 30,532 kr | 152,66 kr |
| 250 + | 28,224 kr | 141,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4420
- Tillv. art.nr:
- IPP80R280P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 101W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.93mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.2mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 101W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.93mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.2mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-serie är perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestandaförhållande. Den fokuserar främst på flybackapplikationer inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning.
Den har en helt optimerad portfölj
Den har lägre monteringskostnad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7