Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 220-7388
- Tillv. art.nr:
- IPB60R060P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
25 135,00 kr
(exkl. moms)
31 419,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 25,135 kr | 25 135,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7388
- Tillv. art.nr:
- IPB60R060P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 151A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 151A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET är efterföljaren till 600 V Cool MOS P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa RonxA och den inneboende låga grindladdningen (QG) på Cool MOS 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
600 V P7 möjliggör utmärkt FOM RDS(on)xEoss och RDS(on)xQG
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd RG
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Utmärkta FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss möjliggör högre effektivitet
Användarvänlighet i tillverkningsmiljöer genom att förhindra ESD-fel
Integrerad RG minskar MOSFET-oscillationskänsligheten
MOSFET är lämplig för både hårda och resonanta switching-topologier som PFC och LLC
Utmärkt robusthet vid hård kommutering av kroppsdioden som ses i LLC-topologi
Lämpligt för en mängd olika slutanvändningar och uteffekter
Tillgängliga delar som är lämpliga för konsument- och industritillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 78 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7