STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- RS-artikelnummer:
- 212-2094
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
161,95 kr
(exkl. moms)
202,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 14 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 161,95 kr |
| 10 - 24 | 157,92 kr |
| 25 + | 154,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 212-2094
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 277W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 277W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 21.1mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET med en Trench Field-Stop (TFS) IGBT med samma nominella spänning och motsvarande på-tillstånd. STPOWER SiC MOSFET uppvisar avsevärt minskade omkopplingsförluster, även vid höga temperaturer. Detta gör det möjligt för konstruktören att arbeta vid mycket höga omkopplingsfrekvenser, vilket minskar storleken på passiva komponenter för mindre formfaktorer.
Mycket låga omkopplingsförluster
Låga effektförluster vid höga temperaturer
Högre drifttemperatur (upp till 200 ̊C)
Kroppsdiod utan återhämtningsförluster
Lätt att köra
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET-moduler, 45 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N