STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1.2 kV, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- RS-artikelnummer:
- 212-2094
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 212-2094
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 277W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 277W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Bredd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET med en Trench Field-Stop (TFS) IGBT med samma nominella spänning och motsvarande på-tillstånd. STPOWER SiC MOSFET uppvisar avsevärt minskade omkopplingsförluster, även vid höga temperaturer. Detta gör det möjligt för konstruktören att arbeta vid mycket höga omkopplingsfrekvenser, vilket minskar storleken på passiva komponenter för mindre formfaktorer.
Mycket låga omkopplingsförluster
Låga effektförluster vid höga temperaturer
Högre drifttemperatur (upp till 200 ̊C)
Kroppsdiod utan återhämtningsförluster
Lätt att köra
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1.2 kV, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics, MOSFET, 30 A 1.2 kV, 3 Ben, Hip-247, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101