STMicroelectronics, MOSFET, 30 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCT0 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 330-234
- Tillv. art.nr:
- SCT070W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
114,24 kr
(exkl. moms)
142,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 60 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 114,24 kr |
| 10 - 99 | 102,82 kr |
| 100 + | 94,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-234
- Tillv. art.nr:
- SCT070W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCT0 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 63mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 236W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 18V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCT0 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 63mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 3V | ||
Maximal effektförlust Pd 236W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 18V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
AEC-Q101-godkänd
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Mycket hög driftstemperaturförmåga TJ motsvarande 200 °C
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, MOSFET, 90 A 1200 V, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 90 A 1200 V, 7 Ben, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 90 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101